PCVD 法的激发方式是用等离子体激发 , 在等离子体激发时会产生非常多的热量 ， 反应气体在超高的温度下进行反应从而制备出超细的氮化硅微粉 。 此法具有升温迅速 、 急剧冷却的优点 ， 可以大大减少反应所需时间 ， 常用来制备粒径极小的氮化硅微粉 。PCVD 法的反应器为管式结构 ， 直径非常小 ， 从几厘米到几十厘米 ; 与其他制备方法所需要大量仪器相比显得极为小巧且粉体产量大 。
根据等离子体的类型 ,PCVD 法分为直流电弧等离子体法（DC 法 ） 、 高频等离子体法（RF 法 ） 和复合等离子体法 。 5 种方法均可得到粒径约 10nm 的无定形氮化硅微粉与约 50nm 的高纯度 、 无团聚的α-Si3N4微粉 。 制备复合材料所需的复相粉体如Si3N4/SiC也可用此法制备 , 且可实现规模化生产。

如何制备出纯度高α-Si3N4含量高 、 粒度小且粒径分布范围窄的高质量氮化硅细粉是氮化硅研究者追求的目标 。 但对整个氮化硅粉体制备行业来说 ， 能规模化生产 , 产量大 ， 成本低 ， 质量稳定是大家关注的重点 。 目前能规模化生产氮化硅粉体的主要方法是硅粉直接氮化法和二氧化硅碳热还原法。