激光气相反应法（LICVD 法 ）
LISVD 法与高温气相反应法不同 ， 是用 CO 2 激光器为源头激发 NH3与 SiH4 气体 ， 使其进行反应制备氮化硅微粉的方法 ， 制得的粉体粒径小于 50nm 。
SiH4 会使 CO2激光束在 10.59μm处进行分解 ， 产生的能量使反应体系达到较高的温度 。 此法可对反应过程进行高度控制 , 精准确定反应区域 ， 有效避免了
污染 ， 加速均匀 ， 反应效率高 。 此法所得氮化硅微粉具有极高的纯度 , 微观形貌呈球状 , 粒度分布范围小 ,超细且无定形 ， 含氧的相关物相低于 1 %（ w ） 。 提高激光强度与反应压力 ， 可得到优良的氮化硅微粉 。
采用双光束激励法（DBOS 法 ）增大反应体系中 N 原子浓度,提高了N 、 Si 物质的量比 ， 从而加快了反应速率并解决了游离碳的问题 。 使用廉价的六甲基乙硅胺烷代替了硅烷 ， 同样也制备出良好的氮化硅粉体。